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多晶硅片,半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态， 有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。
有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属 金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导；碱金属如钠 等，引起严重漏电；颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等，会导致各种缺陷。所以清洗多晶硅、半导体、太阳能光伏电池板必须用超纯水，目前制取超纯水工艺可分为反渗透+混床超纯水设备，二是反渗透+EDI超纯水设备，这是两种制取超纯水设备常用的工艺。
处理工艺：
预处理系统-反渗透系统-中间水箱-粗混合床-精混合床-纯水箱-纯水泵-紫外线杀菌器-抛光混床-精密过滤器-用水对象(≥18MΩCM)(传统工艺)
预处理-反渗透-中间水箱-水泵-EDI装置-纯化水箱-纯水泵-紫外线杀菌器-抛光混床-02或05Hm精密过滤器-用水对象(≥18MΩCM)(最新工艺)
预处理-一级反渗透-加药机(PH调节)-中间水箱-第二级反渗遗(正电荷反渗膜)-纯水箱-纯水泵-EDI装置-紫外线杀南器-02或0.5m精密过滤器-用水对象(>17MΩCM)(最新)
预处理-反渗透-中间水箱-水泵-EDI装置-纯水箱-纯水泵-紫外线杀菌器-0.2或0.5精密过滤器-用水对象(≥15MΩCM)(最新工艺)
预处理系统-反渗透系统-中间水箱-纯水泵-粗混合床-精混合床-紫外线杀药器-精密过滤器-用水对象(≥15MΩ.CM)(传统工艺)
