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超纯金属，指的化学杂质和物理杂质 (晶体缺陷) 含量的金属。目前主要以化学杂质的含量为标准，常以杂质在金属中总含 量的百万分之几表示 。超纯金属是相对高纯度的金属，一般指金属纯度达到纯度9以上的金属，物理杂质的概念才是有意义的。
材料的纯度对其性能，特别是微电子学、光电子学性能影响很大，现代高技术产业要求制备出超纯金属以利于制作器件。
精铝经过区熔提纯，只能达到5 的高纯铝，但如使用在有机物电解液中进行电解，可将铝提纯到99.9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，就能达到接近于 7 的纯度，杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外，还在低温下有高的导电性能，可用于低温电磁设备。超纯金属超纯的纯度也可以用剩余电阻率来测定，其值约为2×10-5。
制备化合物半导体的金属如铟、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，总金属杂质含量为 0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到≥6 的水平。
钨-钛靶材作为光伏电池镀膜材料是近发展起来的，它作为第三代太阳能电池的阻挡层是佳选择。
由于 W-Ti 系列薄膜具有非常优良的性能，近几年来应用量急剧增加，2008年W-Ti 靶材世界用量已达到400t，随着光伏产业的发展，这种靶材的需求量会越来越大。具行业预测其用量还会有很大的增加。国际太阳能电池市场以的速度增长，目前世界有30 多公司参与太阳能市场的进一步开发， 并已有的公司产品投入市场。但热压法生产的ITO靶材由于缺氧率高，氧含量分布不均匀，从而影响了生产ITO薄膜的均匀性，且不能生产大尺寸的靶。
