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福建可以做MOSFET参数检测的机构-广电计量实验室

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最后更新: 2023-10-28 12:25
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详细说明

福建可以做MOSFET参数检测的机构-广电计量实验室

随着新能源汽车半导体功率电子国产化的发展,广电计量引进国际的测试技术,基于LV/AQG324认证标准,为功率半导体产业上下游企业提供功率模块电学性能检测,材料、器件与系统的可靠性测试以及失效分析。技术革新带来了验证技术新的挑战,广电计量以LV/AQG324认证试验为基础,积极布局第三代半导体功率模块的可靠性业务领域,助力器件国产化、高新化发展。


测试周期:

2-3个月,提供全面的认证计划、测试等服务


服务内容:

广电计量失效分析实验室功率器件技术团队,拥有丰富的功率半导体器件检测,器件可靠性测试,以及可靠性测试设备设计制造的经验,可为您提供电学参数检测,可靠性测试,失效分析及定制化服务。

产品范围:

适用于MOSFET,Diode,IGBT,第三代半导体器件等元件构成的功率模块。


测试项目:

序号

测试项目

缩写

样品数/

测试方法

1

 

Thermal shock test

 

TST

6

IEC 60749-25

2

 

Vibration

 

V

6

DIN EN 60068-2-6

3

 

Mechanical shock

 

MS

6

DIN EN 60068-2-27

4

Power cycling

PCsec

6

IEC 60749-34

5

Power cycle

PCmin

6

IEC 60749-34

6

High-temperature storage

HTS

6

IEC 60749-6

7

Low-temperature storage

LTS

6

JEDEC JESD-22 A119

8

High-temperature reverse bias

HTRB

6

IEC 60747-9

9

High-temperature gate bias

HTGB

6

IEC 60747-9

10

High-humidity, high-temperature reverse bias

H3TRB

6

IEC 60749-5

11

Determining parasitic stray inductance

Lp

6

IEC 60747-15

12

Determining thermal resistance

Rth

6

DIN EN 60747-15

13

Determining short-circuit capability

/

6

/

14

Insulation test

/

6

/

15

Determining mechanical data

/

6

/


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