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碳化硅球团粘结剂特别适合不易成型的碳化硅粉,并适用于铁矿粉、铬矿粉、锰矿粉、磷矿粉、铜、镍等矿粉生产冷固球团,不用烧结直接冶炼;使用方便:按比例将原料、碳化硅球团粘结剂、水混合搅拌即可成型。铁合金基本分类:含有两种或者两种以上合金元素的多元铁合金,主要品种有合金,硅钙合金,,硅钙铝合金,硅钡钙合金等。树脂结合剂磨盘由金刚石单晶、微粉与树脂固结而成,特点是成本比金属磨盘低,加工效率高,主要应用于石材的精细研磨至抛光,是金属磨盘磨平后的延续磨抛工具。硅铁、锰铁、硅锰、铬铁、钨铁、钒铁、镍铁、钼铁、钛铁、稀土镁硅、稀土硅铁、硅钙合金、硅钡合金、钽铌、磷铁、硼铁等。

碳化硅球简介

碳化硅球又称金钢砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。目前我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体,比重为3。碳化硅硬度仅次于金刚石,具有较强的耐磨性能,其耐磨性能是铸铁.橡胶使用寿命的5—20倍,也是航空飞行跑道的理想材料之一。20~3。25,显微硬度为2840~3320kg/mm2。

1. 包括黑硅碳化硅球,其中:黑碳化硅球是以石英砂,石油焦和硅石为主要原料,通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉,性脆而锋利。

2.性质 碳化硅的硬度很大,具有优良的导热和导电性能,高温时能抗击 氧化。

3.用途(1)作为磨料,可用来做磨具,如砂轮、油石、磨头、砂瓦类等。

(2)作为冶金脱氧剂和耐高温材料。碳化硅球主要有四大应用领域,即:功能陶瓷、耐火材料、磨料及冶金原料。目前碳化硅粗料已能大量供应,不能算高新技术产品,而技术含量极高的纳米级碳化硅粉体的应用短时间不可能形成规模经济。

(3)高纯度的单晶,可用于制造半导体、制造碳化硅纤维。

4.产地、输往国别及品质规格

(1)产地:青海、宁夏、河南、四川、贵州等地。

(2)输往国别:美国、日本、韩国、及某些欧洲国家。

(3)品质规格: ①磨料级碳化硅技术条件按GB/T2480—96。 ②磨料粒度及其组成按GB/T2477—83。磨料粒度组成测定方法按GB/T2481—83。用碳化硅球可使钢水质量稳定,且具有细化晶粒,清除钢水中有害杂质的作用,使用后钢水浇铸温度高,铸坯质量好,单位成本低。 化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用途,例如:以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁,可提高其耐磨性而延长使用寿命1~2倍;用以制成的耐火材料,耐热震、体积小、重量轻而强度高,节能效果好。低品级碳化硅(含SiC约85%)是的脱氧剂,用它可加快炼钢速度,并便于控制化学成分,提高钢的质量碳化硅球脱氧剂常见规格在3--50mm.

碳化硅是由美国人艾奇逊在1891年电熔金刚石实验时,在实验室偶然发现的一种碳化物,当时误认为是金刚石的混合体,故取名金刚砂,1893年艾奇逊研究出来了工业冶炼碳化硅的方法,也就是大家常说的艾奇逊炉,一直沿用至今,以碳质材料为炉芯体的电阻炉,通电加热石英SIO2和碳的混合物生成碳化硅。①黑碳化硅含SiC约95%,其韧性高于绿碳化硅,大多用于加工抗张强度低的材料,如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。

1955年 理论和技术上重大突破,LELY提出生长碳化概念,从此将SiC作为重要的电子材料。

1978年 六、七十年代碳化硅主要由前苏联进行研究。到1978年首采用“LELY改进技术”的晶粒提纯生长方法。

1987年~至今以CREE的研究成果建立碳化硅生产线,供应商开始提供商品化的碳化硅基。

碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用的基本品种,都属α-SiC。①黑碳化硅含SiC约95%,其韧性高于绿碳化硅,大多用于加工抗张强度低的材料,如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。楔形桨叶传热面具有自清洁功能,泥烘干设物料颗粒与楔形面的相对运动产生洗刷作用,能够洗刷掉楔形面上的附着物,试运转中一直保持着清洁的传热面。②绿碳化硅含SiC约97%以上,自锐性好,大多用于加工硬质合金钛合金光学玻璃,也用于珩磨汽缸套和精磨高速具。此外还有立方碳化硅,它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体,用以制作的磨具适于轴承的超精加工,可使表面粗糙度从Ra32~0.16微米一次加工到Ra0.04~0.02微米。

考虑到当前国内的半导体产业投资基本上进入了国家主导的投资阶段,2014年大金的成立开启了一轮国内投资半导体的热潮,第三代半导体取得技术突破无论是政府资金,还是产业资本都纷纷进入这个领域。中国碳化硅与世界先进水平的差距主要集中在四个方面:一是在生产过程中很少使用大型机械设备,很多工序依靠人力完成,人均碳化硅产量较低。碳化硅与氮为主的材料随着碳化硅和氮化材料研发取得进展,中国开展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚,与国外相比水平较低,阻碍国内第三代半导体研究进展的重要因素是原始问题。

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