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氮化硅陶瓷，是一种烧结时不收缩的无机材料陶瓷。
废旧氮化硅陶瓷就是经过使用以后，损坏或者破损的氮化硅制品，
Si3N4 陶瓷是一种共价键化合物，基本结构单元为[ SiN4 ]四面体，硅原子位于四面体的中间，在其周围有四个氮原子，分别位于四面体的四个顶点，然后以每三个四面体共用一个原子的形式，在三维空间形成连续而又坚固的网络结构。
如果要在半导体基材上沉积氮化硅，有两种方法可供使用：
利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平管式炉进行。
等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。
氮化硅的晶胞参数与单质硅不同。因此根据沉积方法的不同，生成的氮化硅薄膜会有产生张力或应力。特别是当使用等离子体增强化学气相沉积技术时，能通过调节沉积参数来减少张力。
先利用溶胶凝胶法制备出二氧化硅，然后同时利用碳热还原法和氮化对其中包含特细碳粒子的硅胶进行处理后得到氮化硅纳米线。硅胶中的特细碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解产生的。
氮化硅的制法有以下几种： 在1300～1400℃时将粉状硅与氮气反应； 在1500℃时将纯硅与氨作用；
在含少量氢气的氮气中灼烧二氧化硅和碳的混合物;将SiCl4的氨解产物Si(NH2)4完全热分解。氮化硅可用作催化剂载体、耐高温材料、涂层和磨料等。
氮化硅陶瓷具有高强度、耐高温的特点，在陶瓷材料中其综合力学，耐热震性能、性能、耐磨损性能、耐蚀性能好，是热机部件用陶瓷的候选材料。在机械工业，氮化硅陶瓷用作轴承滚珠、滚柱、滚球座圈、工模具、新型具、泵柱塞、心轴 密封材料等。
氮化硅的很多特点都归纳为在这里结构。纯Si3N4为3119，有α和β二种分子式，均为六角晶体结构，其融解温度在空气中为1800℃，在110MPa氮中为1850℃。Si3N4热膨胀系数低、导热率高。该产品已在焦作万方铝业、贵阳铝业、中孚铝业、包头铝业等多家企业的大型电解槽中使用，并出口力拓加拿大铝业、俄罗斯铝业、巴林铝业等，深得用户好评。压合锻烧的氮化硅升温到l000℃后资金分配冷水中也不易。没有太高的温度下，Si3N4具有较高的抗压强度和抗冲击性，但在1200℃以上会随使用时间的提升而出現毁坏，使其抗压强度降低，Si3N4未来的发展前途是：⑴充分利用和应用Si3N4本身所具有的优异特性；⑵在Si3N4粉状锻烧时，设计开发一些新的助熔剂，科研和控制现阶段助熔剂的成分；⑶改善制粉、成型和煅烧法；⑷产品研发Si3N4与SiC等原料的复合化，有利于制取很多的纤维材料。它耐高温，抗压强度一直可以维持到1200℃的高温而不减少，受热后不易熔成融体，一直到1900℃才会融解，并有让人的耐水洗浸蚀能，可耐大部分所有的氧化剂和30%以下的溶液，也可耐很多柠檬酸钠的腐蚀；此外也是一种电电缆护套原材料。
