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栅极长度低于 1nm 的垂直 MoS2 晶体管
“超大规模晶体管对下一代电子设备的开发很感兴趣。尽管已经报道了原子级薄的二硫化钼 (MoS 2 ) 晶体管，但栅极长度低于 1 nm 的器件的制造一直具有挑战性。在这里，我们使用石墨烯层的边缘作为栅电极展示了具有原子级薄沟道和亚 1 nm 物理栅极长度的侧壁 MoS 2晶体管。该方法使用通过化学气相沉积生长的大面积石墨烯和 MoS 2薄膜在 2 英寸晶圆上制造侧壁晶体管。这些器件具有高达 1.02 × 10 5的开/关比和低至 117 mV dec -1的亚阈值摆幅值. 模拟结果表明，MoS 2侧壁有效沟道长度在开启状态下接近0.34 nm，在关闭状态下接近4.54 nm。这项工作可以促进摩尔定律，即下一代电子产品中晶体管的按比例缩小。”
快充市场的未来趋势（一）
倍思于2020年推出120W GaN（纳微半导体供应）+SiC（APS供应）快充产品，取得市场巨大反馈，泰科天润、美浦森、安森美等SiC元件厂也陆续达成在Power Delivery快充领域的大量出货。
值得注意的是，汽车市场的快充输出界面逐渐成为标配，在大功率车充市场正逐渐兴起的趋势下，未来数位产品能耗与电池容量限制将再推升第三代半导体GaN与SiC的大规模应用。
然而手机快充的惊人增长继续拉动市场的不断成长，让身为“三代半”双星之一的GaN交出了一份漂亮的。
半导体行业依然在挑战中前行。后疫情时代、产能紧张、地缘政治等因素仍深刻地影响着半导体产业链及生态。2022年，半导体行业如何发展？新的挑战又会从何而来？
为了厘清这些问题，围绕热点话题、热门技术和应用、重大事件等多维度梳理，为上下游企业提供参考镜鉴。
锂电池原材料价格上涨7倍，供应链面临挑战
“从 2021 年初到 2022 年 5 月，锂价格上涨了 7 倍以上，钴价格上涨了一倍以上。同期镍价几乎翻了一番，达到近十年来未见的水平，”IEA 在发布的《2022 年电动汽车展望 》报告中表示上周。
业内人士表示，锂离子电池的需求旺盛，但电池供应链可能还没有准备好，并承认矿物材料的短缺构成了挑战。
消息人士称，锂价格的飙升是由三元电池和磷酸铁锂（LFP）电池制造商的需求推动的。他们表示，磷酸铁锂电池生产的扩张速度比三元电池增长更快，规模更大，这主要是受中国电池制造商的推动，它们占据了 99% 的磷酸铁锂产量。
需求变弱，第3季DDR3与DDR4价格将季减3~8%
由于俄乌冲突、疫情以及高通胀等因素冲击消费性电子买气，其中属consumer DRAM相关应用的笔电、电视出货面临下修，加上DDR3因价格属于相对高点，买方在库存与成本压力之下，购买力道明显收敛，预估DDR3与DDR4需求将同步下滑，市场拉货动能持续走弱。而韩厂对于退出DDR3供给的计划不变，但下半年仍有陆厂及台厂新增产能开出。在需求走弱，供给增加的情形下，卖方的议价优势不再，难以支撑第三季consumer DRAM价格，预测DDR3与DDR4价格将季减3~8%。
